دانشگاه جامع امام حسین(ع)
الکترومغناطیس کاربردی
2645-5153
2821-2711
4
3
2016
10
22
طراحی و ساخت چیدمان موجبری اندازه گیری مشخصات الکترومغناطیسی بدون استفاده از قاب نگهدارنده نمونه در باند C
1
10
FA
فرید
نظری
صنعتی خواجه نصیر طوسی
faridnazari89@gmail.com
هادی
علی اکبریان
صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
aliakbarian@eetd.kntu.ac.ir
سهیل
رادیوم
پژوهشگاه فضایی ایران
soheil.radiom@gmail.com
چکیده: تعیین خصوصیات ماده با استفاده از موجبر مستطیلی نیازمند یک قاب نگهدارنده نمونه و یک روش پیچیده جهت آمادهسازی نمونه میباشد. در این مقاله با تغییراتی در روش معمول موجبری برای اندازهگیری ضریب گذردهی الکتریکی و حذف قاب نگهدارنده، نشان داده میشود که روش معمول کالبیراسیون TRL و الگوریتم NRW برای بهدستآوردن ثابت دیالکتریک و تانژانت تلفات با شرایطی قابل استفاده می باشد. در ادامه، این روش برای اندازهگیریهای باند C برای مواد مختلف شبیهسازی و سپس پیادهسازی شده است. برای مواد با ضخامت کم دقت روش بهتر میباشد و تا ضخامت 35/0 (طول موج در ماده تحت اندازهگیری) نتایج مناسب میباشد. میزان خطای اندازهگیریشده در این روش برای نمونه زیرلایه با ثابت دیالکتریک 3 و ضحامت mm 5/1 در حالت شبیهسازی تمام موج کمتر از 8 % و در اندازهگیری قسمت حقیقی ثابت دیالکتریک کمتر از 15 % بهدست آمده است.
اندازهگیری ضریب دیالکتریک,کالیبراسیون TRL,مشخصات ماده,الگوریتم NRW,ضریب نفوذپذیری
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203381.html
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203381_b7e42f2a664eef5e6015a5fd94081d0c.pdf
دانشگاه جامع امام حسین(ع)
الکترومغناطیس کاربردی
2645-5153
2821-2711
4
3
2016
10
22
مدلسازی تلفات جریان گردابی سلف های توان بالا با هسته های مورق در سامانه موقعیت یاب زمین پایه
11
20
FA
ایمان
سلطانی
دانشگاه صنعتی مالک اشتر
imansoltanyy@gmail.com
محمد رضا
علیزاده پهلوانی
صنعتی مالک اشتر
mr_alizadehp@iust.ac.ir
فرستنده جریانی سامانه موقعیت یاب زمین پایه محلی لوران از چندین سلف توان بالا هستههای فریتی یا فلزی استفاده مینماید. رفتار غیرخطی این سلفها با تغییرات فرکانس کاری فرستنده در تلفات جریان گردابی و به طبع در راندمان فرستنده بسیار حائز اهمیت است. در این مقاله روابط تلفات جریان گردابی در سلفهای سلونوئیدی توان بالا با هستههای مورق ارایه میگردد و نشان داده میشود که این روابط میتواند به عنوان مدلی مرجع، در فرکانسهای مختلف برای سلفهای توان بالا با هسته مورق استفاده میشوند. نتایج حاصل از مدلسازی و شبیهسازی نشان خواهد داد که پارامترهای غیرخطی موجود در سلف چه اثراتی بر روی عملکرد سلف های فرستنده خواهند گذاشت. در این تحقیق نشان داده خواهد شد که فرکانسKHz 100 فرستنده جریان لورن ساخته شده مرز کاهش نرخ تلفات جریان گردابی و افزایش راندمان در این فرستنده است. همچنین نشان داده میشود که زیر این فرکانس تلفات جریان گردابی با و بالای این فرکانس تلفات جریان گردابی با متناسب است.
سلف توان بالا,جریان گردابی,سامانه موقعیتیاب زمین پایه,تلفات گردابی
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203382.html
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203382_ff399fee158a38f594ee6532f185d731.pdf
دانشگاه جامع امام حسین(ع)
الکترومغناطیس کاربردی
2645-5153
2821-2711
4
3
2016
10
22
طراحی و ساخت آنتن چوک رینگ پلهای باند X با پوششدهی وسیع جهت کاربرد در ماهوارهی ناهید-1
21
30
FA
مجتبی
فلاح زاده
مرکز تحقیقات فضایی، پژوهشگاه فضایی ایران
mojtaba.fh2885@gmail.com
هادی
علی اکبریان
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
aliakbarian@eetd.kntu.ac.ir
سعید
فلاح زاده
دکتری، مرکز تحقیقات فضایی، پژوهشگاه فضایی ایران
fallahzadehsaeed@gmail.com
سید ابوالفضل
حدادی
مرکز تحقیقات فضایی، پژوهشگاه فضایی ایران
abolfazl.haddadi@gmail.com
سهیل
رادیوم
مرکز تحقیقات فضایی، پژوهشگاه فضایی ایران
soheil.radiom@gmail.com
در بین آنتنهایی که برای پوششدهی ماهوارههای LEO در محدودهی فرکانسی مایکروویو به کار گرفته میشوند آنتنهای چوک رینگ یکی از بهترین گزینهها محسوب میشوند. در این مقاله یک آنتن چوک رینگ با چهار رینگ هممحور با پروفایل پلهای نزولی از مرکز فاز آنتن طراحی و بهینهسازی شده و پس از ساخت مورد آزمایش قرار گرفته است. مشخصات مورد نیاز آنتن بر اساس نیازهای پروژه ماهواره ناهید-1 محاسبه شده است. پلاریزاسیون دایروی آنتن توسط تیغهی سپتوم تعبیهشده در داخل موجبر دایرهای متصل به آنتن تامین میشود. پترن تشعشعی وسیع آنتن محدودهی 125 درجهای را در راستای زاویهی فراز در فرکانس 5/10 گیگاهرتز با بهرهای بهتر از 3 دسیبل پوشش میدهد. به منظور کاهش اثرات بدنهی ماهواره و صفحات خورشیدی بر الگوی تشعشعی آنتن، با نصب آنتن بر روی ماکت ماهواره تمامی اثرات آن بر روی آنتن از طریق اندازهگیری و هم شبیهسازی مورد بررسی قرار گرفته است. نهایتا برای کاهش اثرات مخرب صفحات خورشیدی بر روی آنتن، ارتفاع آن از سطح ماهواره مقداری افزایش یافته است.
آنتن چوک رینگ پلهای,ماهوارهی LEO,اثر بدنهی ماهواره,لینک باند .X
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203383.html
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203383_3a5278301908f49cf93a7ff9433c48aa.pdf
دانشگاه جامع امام حسین(ع)
الکترومغناطیس کاربردی
2645-5153
2821-2711
4
3
2016
10
22
مدلسازی عددی تلفات جریان متناوب نوارهای ابررسانای دما بالای نسل دوم تحت میدانهای مغناطیسی خارجی متغیر به روش اجزاء محدود
31
43
FA
محمد
یزدانی
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
m.yazdaniasrami@gmail.com
سید اصغر
غلامیان
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
gholamian@nit.ac.ir
مهدی
میرایمانی
0000-0002-0331-0827
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
mirimani@nit.ac.ir
جعفر
ادبی فیروزجائی
دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
j.adabi@nit.ac.ir
امروزه ابررسانایی یکی از فناوریهای پیشرو در زمینههای کاربردی بخصوص در زمینه مهندسی برق میباشد. امکان بهرهگیری از این فناوری در ساخت تجهزات قدرت الکتریکی با راندمان بیشتر، تلفات کمتر، قابلیت اطمینان بالاتر و نیز ابعاد و اندازههای کوچکتر نسبت به تجهیزات غیرابررسانای موجود، زمینه را برای مطالعه و سرمایهگذاری بیشتر در امر تحقیق و توسعه این فناوری فراهم آورده است. از مهمترین ویژگیهای نوارهای ابررسانای دما بالای نسل دوم چگالی جریان بسیار زیاد آنها و نیز تلفات جریان متناوب بسیار کم نسبت به هادیهای مسی میباشد. ابررساناهای دما بالای برپایه دوتریم تا 100 برابر چگالی جریان بالاتر از مس و البته قیمتی 20 برابر هادی مسی دارند. میزان تلفات جریان متناوب نوارهای ابررسانا، یکی از محدودیتهای مهم طراحی برای کاربردهای تجهیزات قدرت الکتریکی است. بدین منظور روشهای متعددی برای اندازهگیری، تخمین و محاسبه این میزان تلفات در منابع معتبر منتشر شده که یکی از روشهای موثر، روشهای عددی میباشند که کم هزینه، سریع و با توجه به مقایسه آنها با روشهای مبتنی بر اندازه گیری، دقیق هم هستند. در این مقاله، مدلسازی عددی برای محاسبه تلفات جریان متناوب نوارهای ابررسانای دما بالای نسل دوم بر پایه دوتریم به روش اجزاء محدود و با استفاده از فرمولسازی H در سه حالت تحت میدان مغناطیسی خارجی، در حالت جریان حامل و نیز اعمال همزمان هر دو حالت انجام شده است. شایان ذکر میباشد در هر حالت، نتایج برای زمانیکه جریان بحرانی مستقل از و یا وابسته به چگالی شار مغناطیسی بوده محاسبه و تحلیل شده است.
ابررساناهای دما بالا,تلفات جریان حامل,تلفات جریان متناوب,روش اجزاء محدود,میدان مغناطیسی خارجی
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203384.html
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203384_32c0d49e6888e776f8b76c8d9a7e8c4a.pdf
دانشگاه جامع امام حسین(ع)
الکترومغناطیس کاربردی
2645-5153
2821-2711
4
3
2016
10
22
طراحی و ساخت آنتن میکرواستریپ با پهنای باند بالا به روش آرایهی متناوب لگاریتمی با تغذیه Inset و Proximity
45
56
FA
جعفر
خلیل پور
دانشگاه پدافند هوایی خاتم الانبیاء(ص)
j_khalilpour@yahoo.com
اسماعیل
زارع زاده
دانشگاه صنعتی امیرکبیر
zarezadeh@aut.ac.ir
مریم
حاجبی
دانشگاه صنعتی امیرکبیر
m_hajebi@aut.ac.ir
در این مقاله برای افزایش پهنای باند آنتنهای میکرواستریپی، از آرایههای متناوب لگاریتمی استفاده شده است و برای تغذیه آرایهها نیز روشهای تغذیهی Inset و Proximity انتخاب شدند. شبیهسازیها و نتایج آزمایشگاهی نشان دادند که با استفاده از تغذیه Inset پهنای باند افزایش یافته و تطبیق امپدانسی بهتر از ترمینال ورودی حاصل میشود. بعلاوه با استفاده از تغذیه Proximity به دلیل حذف اتصالات T شکل و لحیمکاریها، تشعشعات ناخواسته از بین رفته و در نتیجه بهره و پهنای باند بیشتر و ابعاد کوچکتری نسبت به آنتن با تغذیه Inset به دست میآید. در این مقاله از یک ماده دیالکتریک از جنس FR4 با ضخامت mm6/1 و ثابت دیالکتریک 4/4ε_r= استفاده شده است و فرکانس تشدید و امپدانس مشخصه خط تغذیه به ترتیب GHz 03/3 و Ω50 در نظر گرفته شدهاند. با استفاده از آرایه متناوب لگاریتمی، پهنایباند امپدانسی و بهرهی آنتن میکرواستریپ به ترتیب از %7/2 و حدودdB 2 برای تک المان، به %4/27 وdB 8 برای 5 المان افزایش می یابد.
آنتن میکرواستریپ,آرایه متناوب لگاریتمی,تغذیه Inset,تغذیه Proximity,تطبیق امپدانسی
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203385.html
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203385_c1bd26b14629faa8943c4cb2eab5f779.pdf
دانشگاه جامع امام حسین(ع)
الکترومغناطیس کاربردی
2645-5153
2821-2711
4
3
2016
10
22
بهبود ساختار تقویت کننده رامان کریستال فوتونی هایبرید به کمک مواد اپتوفلوییدی
57
64
FA
امیره
سیدفرجی
دانشگاه الزهرا (س)
sfaraji@alzahra.ac.ir
وحید
احمدی
تربیت مدرس
v_ahmadi@modares.ac.ir
در این مقاله، با استفاده از موجبر کریستال فوتونی هایبرید، ساختاری برای تقویت کننده رامان پیشنهاد می شود که در آن به کمک ایجاد نانو حفره های پر شده با مواد اپتوفلوییدی در مسیر پمپ و سیگنال، سرعت گروه پمپ و سیگنال کاهش یافته و در نتیجه بهره و عرض باند تقویت رامان افزایش می یابد. در این ساختار، پارامترهای هندسی برای دست یابی به بهره و عرض باند تقویت بزرگتر، بهبود می یابند. معادلات ماکسول به روش FDTD و با درنظر گرفتن اثرات غیرخطی جذب دو فوتونی، جذب حامل آزاد، اثر کِر و مدلاسیون فاز خودی در موجبر کریستال فوتونی هایبرید حل می شوند. سپس با تزریق هم زمان 3 پمپ با طول موج و توان مناسب به ساختار تقویت کننده رامان با طول um 350، بهره رامان 10.06 db و عرض باند تقویت nm 5.75 حاصل می شود.
کریستال فوتونی هایبرید,مواد اپتوفلوییدی,تقویت کننده رامان,معادلات ماکسول
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203386.html
https://elemag.ihu.ac.ir/article_203386_2cdbbed268e88c865a1f2df849417d3c.pdf